«La nueva memoria flash 3D demuestra los beneficios de nuestra sólida asociación con Kioxia y nuestro liderazgo en innovación combinado», dijo Alper Ilkbahar, vicepresidente senior de tecnología y estrategia de Western Digital. «Al trabajar con una hoja de ruta común de I+D y la inversión continua en I+D, hemos podido producir esta tecnología fundamental antes de lo previsto y ofrecer soluciones de alto rendimiento y eficiencia de capital».
Kioxia y Western Digital redujeron el costo mediante la introducción de varios procesos y arquitecturas únicos, lo que permitió avances continuos de escalamiento lateral. Este equilibrio entre el escalado vertical y lateral produce una mayor capacidad en un troquel más pequeño con menos capas a un costo optimizado. Las empresas también desarrollaron la innovadora tecnología CBA (CMOS directamente unido a la matriz), en la que cada oblea CMOS y oblea de matriz de celdas se fabrican por separado en su condición optimizada y luego se unen para brindar una densidad de bits mejorada y una velocidad de E/S NAND rápida.
«A través de nuestra asociación de ingeniería única, hemos lanzado con éxito BiCS FLASH de octava generación con la densidad de bits más alta de la industria», dijo Masaki Momodomi, director de tecnología de Kioxia Corporation. «Me complace que hayan comenzado los envíos de muestra de Kioxia para clientes limitados. Al aplicar la tecnología CBA y escalar innovaciones, hemos avanzado en nuestra cartera de tecnologías de memoria flash 3D para su uso en una gama de aplicaciones centradas en datos, incluidos teléfonos inteligentes, dispositivos IoT y datos centros».
El flash 3D de 218 capas aprovecha la celda de nivel triple (TLC) y la celda de nivel cuádruple (QLC) de 1 Tb con cuatro planos y cuenta con una innovadora tecnología de contracción lateral para aumentar la densidad de bits en más del 50 por ciento. Su E/S NAND de alta velocidad a más de 3,2 Gb/s, una mejora del 60 % con respecto a la generación anterior, combinada con una mejora del 20 % en el rendimiento de escritura y la latencia de lectura, acelerará el rendimiento general y la facilidad de uso para los usuarios.
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